突破“二次电子倍增注入浮栅”技术 中天弘宇发布自主原创先进存

　　隔板浮栅雪崩注入循环乘积码尊龙-人生就是搏!黑白显象管原标题：突破“二次电子倍增注入浮栅”技术 中天弘宇发布自主原创先进存储产品

　　上证报中国证券网讯（记者 李兴彩）8月22日，中天弘宇集成电路有限责任公司（下称“中天弘宇”）在上海召开了“自主原创先进存储技术”暨90nm BCD工艺平台上的MTP IP产品发布会，发布了自主原创的闪存技术及产品。

　　据介绍，中天弘宇以“二次电子倍增注入浮栅”原理为基础，创造性地对闪存进行了重构，突破了阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈。在同样的工艺条件下，中天弘宇的闪存可以做到大容量、小面积、低功耗，有效解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题，为人工智能、新型FPGA等发展提供可靠、高效的存储技术解决方案。目前，基于“二次电子倍增注入浮栅”技术，中天弘宇的新型高性能快闪存储器产品在90nm技术节点上流片成功。

　　更为重要的是，在“二次电子倍增注入浮栅”技术领域，中天弘宇以自主、原创、可控的知识产权专利发明为契机，初步构建了中国存储芯片领域原创专利“零的突破”。中天弘宇介绍，公司已在中、日、美、韩等申请了成体系的原创性发明专利，其中多项核心专利已获批，专利体系化建设在不断完善中。

　　对于中天弘宇在“二次电子倍增注入浮栅”领域的探索及未来发展，中国工程院院士倪光南寄语公司设计出更多自主原创的存储产品。新思科技全球资深副总裁兼中国董事长葛群介绍，就中天弘宇技术的产业化，新思科技已与其在IP领域进行了交流和合作，以便于让更多的合作伙伴更容易地使用中天弘宇的IP。

　　在发布会上，中天弘宇董事长张佳介绍，中天弘宇将进一步积聚集成电路全行业工程技术专家的智慧，争取应用和市场持续不断的支持，开拓存储技术的运用范围，扩大存储器系列产品。

　　对于公司下一步发展路径，中天弘宇副总裁兼首席技术官聂虹介绍，未来，中天弘宇的商业模式包括但不限于嵌入式IP授权、独立闪存销售、方案商合作、产学研合作及与行业应用成立合资公司等。返回搜狐，查看更多