自主研发、国际首创先进存储技术在沪发布

　　人民网上海8月22日电 （葛俊俊） 今年7月15日，《中央国务院关于支持浦东新区高水平改革开放打造社会主义现代化建设引领区的意见》正式发布，要求浦东在集成电路、生物医药、人工智能三大产业，打造世界级产业集群，打造“自主创新发展的时代标杆”“建设国际科技创新中心核心区”。

　　8月22日，由上海自贸区年轻科创企业中天弘宇自主研发、国际首创先进存储技术在浦东发布。上海市、浦东新区等相关部门，国际半导体协会等行业组织出席。

　　该技术运用“二次电子倍增注入浮栅”的物理现象，创造性地对闪存存储进行了重构，初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品，“在非易失存储领域属国际首创技术”。该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利，其中多项核心专利已获批，专利体系化建设在不断完善之中。

　　中国工程院院士倪光南在视频致辞中指出，该技术是一项重大发明，实现了中国存储器底层技术零的突破，希望企业与集成电路行业企业一起发奋努力，设计创新更多自主原创的产品，提高自主原创存储器的市场份额。

　　“当前正处于集成电路发展的黄金时期，浦东涌现出了很多自主创新、敢于创新的优秀企业。”浦东新区副区长吴强指出，在抢占科技竞争和未来发展的制高点，浦东正全力加速发展，也希望向全球展示浦东的创新氛围和肥沃土壤。

　　中天弘宇董事长张佳回顾了企业进入集成电路行业七年来的奋斗历程，对方方面面给予的支持表示感谢。中天弘宇副总裁、CTO聂虹介绍了“二次电子倍增注入浮栅”的原理及重大意义，以及与传统技术的区别及优势，并对未来技术及产品的发展规划做了介绍。

　　当天，新思科技中国董事长兼全球资深副总裁葛群、国际半导体产业协会中国区总裁居龙、南芯半导体市场总监刘崇和资深工艺专家官浩等，共同研讨了国内先进存储技术和产业化进展状况，针对产业链融合、工艺实现、市场推广、融资策略等方面，提出了真知灼见。