《计算机组成原理》zcyl34课件pptx

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　　1、计算机组成原理zcyl34课件,计算机组成原理zcyl34课件,2022/11/13,1、掩模ROM(1) 掩模ROM的阵列结构和存储元,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/101、掩模ROM3.4 只读存储器和闪速存,2022/11/13,(2)、掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10(2)、掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图,2022/11/13,2尊龙-人生就是搏!、可编程ROM EPROM叫做光擦除可编程只读存储器尊龙-人生就是搏!。它的存储内容可以根据需要写入，当需要更新时将原存储内容抹去，再写入新的内容。 现以浮栅雪崩注入型MOS (Floating gate

　　2、 Avalanche-injection MOS，FAMOS )管为存储元的EPROM为例进行说明尊龙-人生就是搏!，结构如图所示。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/102、可编程ROM 3.4 只读存储器和闪,2022/11/13,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/103.4 只读存储器和闪速存储器,2022/11/13,浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如图(a)所示，图(b)是电路符号。若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压，使得沟道中的电场足够强，则会造成雪崩尊龙-人生就是搏!，产生很多高能量电子。此时，若在G2栅上加上正电压尊龙-人生就是搏!，形成方向与沟道垂直的电场，便可使沟道中的电子穿

　　3、过氧化层而注入到G1栅，从而使G1栅积累负电荷。由于G1栅周围都是绝缘的二氧化硅层，泄漏电流极小，所以一旦电子注入到G1栅后，就能长期保存。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM,2022/11/13,E2PROM存储元 EEPROM，叫做电擦除可编程只读存储器。其存储元是一个具有两个栅极的NMOS管，如图(a)和(b)所示尊龙-人生就是搏!尊龙-人生就是搏!，G1是控制栅，它是一个浮栅尊龙-人生就是搏!，无引出线是抹去栅，它有引出线栅和漏极D之间有一小面积的氧化层，其厚度极薄，可产生隧道效应。如图(c)所示尊龙-人生就是搏!，当G2栅加20V正脉冲P1时尊龙-人生就是搏!，通过隧道效应，电子由衬底注入到G1浮栅

　　4尊龙-人生就是搏!、尊龙-人生就是搏!，相当于存储了“1”。利用此方法可将存储器抹成全“1”状态。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10E2PROM存储元 3.4 只读存储器和,2022/11/13,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/103.4 只读存储器和闪速存储器,2022/11/13,3.4.2、 FLASH存储器FLASH存储器也翻译成闪速存储器尊龙-人生就是搏!，它是高密度非失易失性的读/写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量尊龙-人生就是搏!。非易失性意味着存放的数据在没有电源的情况下可以长期保存。总之，它既有RAM的优点尊龙-人生就是搏!，又有ROM的优点，称得上是存储技术划时代的进展。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9

　　5、/103.4.2、 FLASH存储器3.4 只,2022/11/13,FLASH存储元在EPROM存储元基础上发展起来的，由此可以看出创新与继承的关系。如右图所示为闪速存储器中的存储元尊龙-人生就是搏!，由单个MOS晶体管组成，除漏极D和源极S外，还有一个控制栅和浮空栅。,1、FLASH存储元,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10FLASH存储元在EPROM存储元基础上发,2022/11/13,“0”状态：当控制栅加上足够的正电压时尊龙-人生就是搏!，浮空栅将储存许多电子带负电，这意味着浮空栅上有很多负电荷，这种情况我们定义存储元处于0状态。“1”状态：如果控制栅不加正电压，浮空栅则只有少许电子或不带电荷，这种情况

　　6、我们定义为存储元处于1状态尊龙-人生就是搏!。浮空栅上的电荷量决定了读取操作时，加在栅极上的控制电压能否开启MOS管，并产生从漏极D到源极S的电流尊龙-人生就是搏!。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10“0”状态：当控制栅加上足够的正电压时，浮,2022/11/13,编程操作：实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态，这是因为擦除操作时控制栅不加正电压尊龙-人生就是搏!。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子尊龙-人生就是搏!，从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态，则控制栅就不加正电压。,2、FLASH存储器的基本操作,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10编程操作：实际上是写操作尊龙-人生就是搏!。所有存储元的原始,2022/11/13,读取操作：控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1尊龙-人生就是搏!，可认为浮空栅不带负电，控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0，可认为浮空栅带负电，控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量，晶体管不能开启导通。,3.4 只读存储器和闪速存储器,2022/9/10读取操作：控制栅加上正电压。浮空栅上的负电,2022/11/13,擦除操作：

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